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In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜及其制备方法
2013-9-18 21:01:54发表  已被浏览过8525次    作者:苏中专利
专利名称 In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜及其制备方法 专利号 ZL201110309719.X 专利权人 扬州大学 专利类别 发明 发明、设计人员 何军辉; 张春伟; 刘拥军; 电话 —— 联系方式 江苏省扬州市大学南路88号 225009 代理机构 苏中专利 转让价格 —— 专利技术简要说明： 本发明公开了In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜及其制备方法，将In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3粉末均匀混合后压制成型，所述In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3粉末的质量比为91:5:1:3，然后在1250℃下烧结，制得Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶材，将Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶置于脉冲激光沉积装置中沉积，制得In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜，该透明导电薄膜最低电阻率可达2.23×10-4Ω·cm，平均透光率在90%以上。本发明工艺简单，采用多元掺杂进一步改善氧化铟基透明导电薄膜导电性能，通过新的高价态元素的掺入提高了材料的导电性，在相同条件下In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜比成熟的ITO有着更低的电阻率。 权利要求书： In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜，其特征在于：将In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3粉末均匀混合后压制成型，然后在1000℃？1400℃下烧结，制得Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶材，所述In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3？粉末的质量比为91:5:1:3；将Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶置于脉冲激光沉积装置中沉积，制得In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜，该透明导电薄膜的最低电阻率达2.23×10？4Ω·cm，平均透光率在90%以上。 上一篇： 钻孔灌注桩成孔一桩双机施工方法   下一篇： 活态烘干塔系统
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