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用于制备半导体器件的深结扩散方法
2013-9-18 20:01:03发表  已被浏览过4321次    作者:苏中专利

专利名称 用于制备半导体器件的深结扩散方法 专利号 ZL201110123196.X
专利权人 润奥电子(扬州)制造有限公司 专利类别 发明
发明、设计人员 高占成; 徐爱民; 顾标琴; 电话 ——
联系方式 江苏省扬州市广陵区创业园B2幢一楼 225006 代理机构 苏中专利
转让价格 ——

专利技术简要说明:

用于制备半导体器件的深结扩散方法,包括如下步骤:第一,在用作扩散源的氧化镓粉末中加入0.2-1.0g的氯化铵粉末,并放入陶瓷坩埚内;第二,将所述陶瓷坩埚和硅片一起装入石英管内,并向该石英管内冲入纯度≥99.999%的高纯氩气,然后进行封闭所述石英管的闭管工序;第三,将所述石英管转移到扩散炉内加热以进行扩散。本发明的深结扩散方法,扩散工艺操作简便,材料成本低,适于大批量生产;扩散后硅片少子寿命高,扩散后表面状态良好,适合采用批量生产大功率高电压半导体器件,而且最终正向通态峰值压降低,产品参数一致性和动态性能好,成品合格率高。

权利要求书:

   
用于制备半导体器件的深结扩散方法,其特征是,包括如下步骤:第一,在用作扩散源的氧化镓粉末中加入0.2?1.0g的氯化铵粉末,并放入陶瓷坩埚内;第二,将所述陶瓷坩埚和硅片一起装入石英管内,并向该石英管内冲入纯度≥99.999%的高纯氩气,然后进行封闭所述石英管的闭管工序;第三,将所述石英管转移到扩散炉内加热以进行扩散。

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