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用于制备半导体器件的深结扩散方法
2013-9-18 20:01:03发表  已被浏览过6201次    作者:苏中专利
专利名称 用于制备半导体器件的深结扩散方法 专利号 ZL201110123196.X 专利权人 润奥电子（扬州）制造有限公司 专利类别 发明 发明、设计人员 高占成; 徐爱民; 顾标琴; 电话 —— 联系方式 江苏省扬州市广陵区创业园B2幢一楼 225006 代理机构 苏中专利 转让价格 —— 专利技术简要说明： 用于制备半导体器件的深结扩散方法，包括如下步骤：第一，在用作扩散源的氧化镓粉末中加入0.2-1.0g的氯化铵粉末，并放入陶瓷坩埚内；第二，将所述陶瓷坩埚和硅片一起装入石英管内，并向该石英管内冲入纯度≥99.999%的高纯氩气，然后进行封闭所述石英管的闭管工序；第三，将所述石英管转移到扩散炉内加热以进行扩散。本发明的深结扩散方法，扩散工艺操作简便，材料成本低，适于大批量生产；扩散后硅片少子寿命高，扩散后表面状态良好，适合采用批量生产大功率高电压半导体器件，而且最终正向通态峰值压降低，产品参数一致性和动态性能好，成品合格率高。 权利要求书：     用于制备半导体器件的深结扩散方法，其特征是，包括如下步骤：第一，在用作扩散源的氧化镓粉末中加入0.2？1.0g的氯化铵粉末，并放入陶瓷坩埚内；第二，将所述陶瓷坩埚和硅片一起装入石英管内，并向该石英管内冲入纯度≥99.999%的高纯氩气，然后进行封闭所述石英管的闭管工序；第三，将所述石英管转移到扩散炉内加热以进行扩散。 上一篇： 快速安全断电的阀门电动装置   下一篇： 铝制带翅片并联式太阳能集热器
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