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P沟道JFET与双极混合集成电路及制作工艺
2013-9-14 0:12:57发表  已被浏览过13498次    作者:苏中专利
专利名称 P沟道JFET与双极混合集成电路及制作工艺 专利号 ZL201010156890.7 专利权人 扬州晶新微电子有限公司 专利类别 发明 发明、设计人员 魏守国、雷必庆 电话 —— 联系方式 江苏省扬州市经济开发区鸿大路29号 225009 代理机构 苏中专利 转让价格 —— 专利技术简要说明： 本发明涉及一种P沟道JFET与双极混合集成电路及制作工艺，属于半导体硅器件与集成电路制造技术领域，主要特点是在双极集成电路的同一硅片上设置通过铝引线与双极集成电路相应电连接的P沟道JFET集成电路，双极集成电路中的双极NPN管与P沟道JFET之间设置上隔离区、下隔离区彼此隔离，采用P-阱深扩散技术、低硼注入与以氧化层掩蔽高能离子浅注入顶栅共同形成的浅沟道制作技术以及适当的工艺调控制成了所需求的兼容混合集成的p沟道JFET，本发明实现了既具有双极集成电路的速度高、驱动能力强的优点，同时又具有高增益、低功耗、高阻抗、高电压输出的电路性能。 权利要求书：     一种P沟道JFET与双极混合集成电路工艺，包括同一硅片上设置的双极集成电路和相应电连接的P沟道JFET，其特征是，所述的P沟道JFET的沟道（19）为P沟道JFET管的源电极（25）和漏电极（28）之间的P型浅注入扩散区，在所述P型沟道（19）的两端叠加有与双极NPN晶体管基区工艺各工步同步制作形成的叠加扩散区（21）以及叠加的P阱扩散区（22），在P型沟道（19）之顶部的栅区是N型杂质浅注入扩散区（20）；在上隔离工序与注入工序之间依次实施包括P阱光刻、P阱刻蚀、P阱氧化、P阱退火的P阱扩散工序；在P阱扩散工序之后实施双极NPN管的基区扩散工序；在基区去胶与基区退火之间依次实施包括低硼光刻、低硼注入、低硼去胶的浅沟道工序；在发射极扩散的电容氧化与接触孔光刻之间依次实施顶栅注入、顶栅退火的浅结扩散工序。 上一篇： 一种四象限红外探测器像面自动定位方法   下一篇： 对硝基苯酚钠的制备方法
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